渭源一中96届学子刘军林团队荣获国家技术发明一等奖

　　2016年1月8日上午，2015年度国家科学技术奖励大会在人民大会堂隆重举行，渭源一中校96届学子刘军林所在“南昌大学江风益团队”自主研发的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获国家技术发明一等奖。江风益教授作为项目第一完成人上台接受习近平主席的颁奖，刘军林作为项目第二完成人在人民大会堂参加颁奖大会。
　　“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目获奖团队成员包括江风益（南昌大学）、刘军林（南昌大学）、王立（南昌大学）、孙钱（晶能光电）、熊传兵（南昌大学）、王敏（中节能晶和照明）等六人。
　　1996年，经过三年时间的技术跟踪，江风益、刘军林带领团队转向自主核心技术的研发，在南昌大学拉开了从事GaN蓝光LED研究、自主创造光明“中国芯”的序幕。历经19年的科研攻关，在LED照明技术上取得突破性成果，成功研发出硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管，并在市场应用上取得明显经济效益和社会效益，走出了一条“硅基发光，中国创造”的新路线。
　　世界上第一支LED诞生于1962年，正式作为照明光源，是日本在1993年取得的突破，这项蓝宝石衬底GaN基蓝光LED技术获得2014年诺贝尔奖。1995年，美国成功研发碳化硅衬底GaN基蓝光LED技术，获得2003年美国总统技术发明奖。而南昌大学硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管的诞生，使中国成为世界上继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家。“中国芯”与日美技术形成全球三足鼎力之势，打破了日本蓝宝石衬底、美国碳化硅衬底长期垄断国际LED照明核心技术的局面，中国为之骄傲，世界为之震动。
 　　在相同照明效果下，半导体照明（LED）比传统光源节能40%—90％，寿命比传统光源长10倍以上，具有较强的节能效益和经济效益。据行业人士介绍，我国半导体照明产业市场规模预计2020年达1.2万亿元。“十三五”期间,江西省将以这项发光技术为核心，重点建设“南昌光谷”，致力打造千亿LED产业。
　

　　附：刘军林简介
　　刘军林，男，汉族，系渭源一中96届高三2班毕业生，现为博士、研究员，博士研究生导师，国家硅基LED工程技术研究中心常务副主任，江西省百千万人才工程人选，主要从事LED芯片及外延研发工作，现主持一项国家科技支撑计划“硅基高亮绿光LED研发”(获资助1369万元)、一项国家自然科学基金重点项目“有源区内电场对GaN基绿光发光二极管内量子效率影响的研究”（获资助260万元）和一项江西省科技厅重大专项“与MOCVD装备配套的LED材料生长技术的研发”（获资助100万元）。主要研究方向为:Si 衬底上 GaN 基半导体材料生长与器件研制；功率型蓝、绿光及白光 LED 材料与芯片；ZnO 基半导体材料生长。
　　主要代表论文有:
　　1)刘军林,赵永庆,周廉. Ti-2.5Cu,Ti-3Fe,Ti-3Cr合金铸锭的偏析[J]. 稀有金属材料与工程, 2004, 33(7): 731-735. (SCI: 847PZ; EI: 04448437250)
　　2)赵永庆,刘军林,周廉. 典型β型钛合金元素Cu,Fe和Cr的偏析规律[J]. 稀有金属材料与工程, 2004, 34(4): 531-538. (SCI: 923ZM; EI: 05219119301)
　　3)Liu Junlin, Zhao Yongqing, Zhou Lian. Microcosmic Segregation of Ti-6Al-4V Ingot by VAR[C]. The 10th World Conference on Titanium,2003,Germany.
　　4)Junlin Liu, Jiqiang Gao, Jikuan Cheng, Jianfeng Yang, Guanjun Qiao. Model for micropipe formation in 6H-SiC single crystal by sublimation method [J]. Materials Letters, 2005, 59(18): 2374-2377. (SCI: 935XQ;EI: 05249155840)
　　5)Junlin Liu, Jiqiang Gao, Jikuan Cheng, Jianfeng Yang, Guanjun Qiao. Effects of graphitization degree of crucible on SiC single crystal growth process [J]. Diamond and Related Materials, 2006, 15(1): 117-120. (SCI: 002IU;EI: 05529616858)
　　6)刘军林,高积强,程基宽,杨建峰,乔冠军. 坩埚石墨化度对SiC单晶生长过程的影响[J].稀有金属材料与工程, 2005,34(12):1944-1947. (SCI: 000KF;EI: 06049664494)
　　7)Junlin Liu, Jiqiang Gao, Jikuan Cheng, Jianfeng Yang, Guanjun Qiao. Methods for the Reduction of the Micropipe Density in SiC Single Crystals [J]. Journal of Materials Science. (SCI源期刊,出版中)
　　8)Junlin Liu, Jiqiang Gao, Jikuan Cheng, Xian Jiang, Jianfeng Yang. Effects of source materials and container on growth process of SiC crystal [J]. Crystal Growth & Design, 2006, 6(9): 2166-2168(SCI源刊)